Institutul Changchun de Mașini Optice și Fizică (CIPM), Academia Chineză de Științe (CAS), a raportat că echipa de cercetare a laserelor semiconductoare de mare putere de la CIPM, sub conducerea academicianului Wang Lijun și a cercetătorului Ning Yongqiang, a efectuat cercetări. privind laserele semiconductoare avansate cu lățime de linie îngustă și tehnologiile cheie din ultimii ani.
Recent, cercetătorul asociat Chao Chen al echipei a raportat un laser semiconductor polarizat liniar, cu lățime de linie îngustă de 852 nm, bazat pe o structură de feedback optic extern. Structura laser realizează o ieșire laser cu polarizare înaltă, cu lățime de linie îngustă de peste 30 dB cu un raport de stingere a polarizării și până la 2,58 kHz prin introducerea unui filtru de rețea Bragg birefringent indus de laser de femtosecundă și integrându-l cu un hibrid de corelație de polarizare înaltă. cipuri de amplificare a semiconductoarelor folosind feedback-ul de polarizare-mod-selectiv și tehnici de blocare a injecției.
Fig. (a) Caracteristicile spectrale de excitație ale laserului, (b) Caracteristicile de variație a raportului de extincție a polarizării cu curentul de injecție (inserția arată puterea laserului măsurată prin diferite unghiuri de rotație a plăcii de undă ale laserului), (c) spectrul de putere a frecvenței bătăii și curba sa de adaptare a lățimii liniei laser măsurată prin auto-absorbție întârziată și (d) simularea numerică a lățimii liniei lorentziane și rezultatele testelor.
Laserul poate fi folosit ca o potențială sursă de lumină pompată atomic pentru sistemele de măsurare cuantică de precizie și, pe baza cercetărilor anterioare în lasere rezistente la radiații, cu lățime de linie îngustă, este, de asemenea, promițător să fie utilizat în sisteme experimentale cuantice cu atomi reci în medii spațiale, atât săgețile de la bord, cât și de la bord.
